Dépôt assisté par ions d'une couche supérieure d'oxyde des terres rares

L'invention concerne un procede de fabrication d'un article qui consiste a utiliser un article, tel qu'un composant de chambre, pour un reacteur de gravure. Un processus de depot par pulverisation par plasma est effectue pour deposer une premiere couche de protection sur au moins une surface du composant de chambre. La premiere couche de protection est une ceramique resistante au plasma dont l'epaisseur est superieure a approximativement 50 micrometres et qui presente une pluralite de fissures et de pores. Un processus de depot assiste par ions (IAD) est ensuite effectue pour deposer une seconde couche de protection sur la premiere couche de protection. La seconde couche de protection est un oxyde des terres rares resistant au plasma, dont l'epaisseur est inferieure a 50 micrometres et dont la porosite est inferieure a 1 %. La seconde couche de protection obture la pluralite de fissures et de pores de la premiere couche de protection.