Semi-conducteur du type p transparent de délafossite cuivre : procédés de fabrication et applications

L'invention concerne des procedes de fabrication de materiaux de delafossite cuivre qui comprennent un procede sol-gel basse temperature pour synthetiser des poudres de CuBO 2 et un procede de depot laser a impulsions (PLD) pour former des couches minces de CuBO 2 a l'aide de cibles faites des poudres de CuBO 2 . Les couches minces de CuBO 2 sont des couches minces d'oxyde semi-conducteur du type p optiquement transparentes. Les dispositifs pourvus des couches minces de CuBO 2 comprennent des transistors a couches minces transparentes (TTFT) du type p comportant une couche mince de CuBO 2 en tant que couche de canal et des piles solaires a couches minces munies de couches p de CuBO 2 . L'invention concerne egalement des piles solaires sensibilisees au colorant a l'etat solide (SS-DSSC) comportant du CuBO 2 sous diverses formes, y compris des particules « noyau-enveloppe » et « nanocouple », et des procedes de fabrication.