Dispositif à semi-conducteur nitruré et procédé pour fabriquer celui-ci

L'invention concerne un dispositif a semi-conducteur nitrure, comportant un corps multicouche de semi-conducteur (103) comprenant une premiere couche de semi-conducteur nitrure (104) et une seconde couche de semi-conducteur nitrure (105) formees en sequence sur un substrat (101). Sur le corps multicouche de semi-conducteur (103), une troisieme couche de semi-conducteur nitrure de type p (108) est formee selectivement, et sur la troisieme couche de semi-conducteur nitrure (108), une electrode grille (109) est formee. Sur les deux cotes de la troisieme couche de semi-conducteur nitrure (108) sur le corps multicouche de semi-conducteur (103), une premiere electrode ohmique (106) et une seconde electrode ohmique (107) sont formees, respectivement. La premiere electrode grille (109) est en contact Schottky avec le troisieme semi-conducteur nitrure (108).