SENSIBILIDAD A NOx EN SENSORES MOS DE COMPUERTA CATALÍTICA POROSA

El uso de compuertas de Pd poroso en capacitores MOS, promueve sensibilidad a NOx ambiente. La porosidad inducida por cambio de los parametros de deposicion durante sputtering D.C. fue caracterizada por microscopia electronica de transmision. La temperatura y el espesor de deposito tienen efectos opuestos sobre la porosidad; por encima de 200°C se induce epitaxia, inhibiendo la coalescencia y promoviendo porosidad a espesores mayores. La sensibilidad a NOx manifiesta en el corrimiento de la tension de banda plana de curvas C-V a valores menos negativos, aumenta significativamente para compuertas porosas de 20A de espesor.