Source d'electrons de type a emission de champ et son procede de production

La presente invention a trait a une source d'electrons du type a emission de champ comportant une pluralite d'elements de source d'electrons (10a) formes sur un cote d'une surface (surface avant) d'un substrat isolant (11) constitue d'un substrat en verre. Chacun des elements de source d'electrons (10a) comporte une electrode inferieure (12), une couche tampon (14) constituee d'une couche de silicium amorphe formee sur l'electrode inferieure (12), une couche de silicium polycristallin (3) formee sur la couche tampon (14), une couche de migration a champ fort (6) formee sur la couche de silicium polycristallin (3), et une electrode de surface (7) formee sur la couche de migration a champ fort (6). La source d'electrons de type a emission de champ peut realiser une variation dans le plan reduite dans les caracteristiques d'emission d'electrons.