Structures d'interconnexion poreuses a faible constante dielectrique

L'invention concerne une structure d'interconnexion electrique sur un substrat, qui comprend une premiere couche dielectrique poreuse a zone de surface dans laquelle un porogene a ete epuise; et une couche d'arret d'attaque placee sur cette premiere couche de maniere a s'etendre pour combler partiellement les pores de la zone de surface de ladite premiere couche debarrassee du porogene, ce qui permet d'ameliorer l'adhesion durant le traitement ulterieur. L'invention concerne une autre structure, qui comprend: un substrat; plusieurs couches dielectriques poreuses sur le substrat; une couche d'arret d'attaque entre une premiere couche dielectrique et une seconde couche dielectrique; et au moins une couche dielectrique non poreuse, mince, resistante, entre au moins une des couches dielectriques et la couche d'arret d'attaque. L'invention concerne egalement des procedes relatifs a la formation de ces structures.