単結晶窒化ガリウム基板を製造する方法、窒化ガリウム基板、および窒化物半導体エピタクシャル基板
2004
【課題】 より多くの窒化物半導体素子を提供できるGaN基板を作製する方法を提供する。 【解決手段】単結晶窒化ガリウム基板を製造する方法は、(a)気相成長法によって成長された窒化ガリウム単結晶のインゴット1を所定の平面S1、S2、S3に沿って切断して一または複数の単結晶窒化ガリウム基板7を作製する。単結晶窒化ガリウム基板7の主面は鏡面仕上げされており、窒化ガリウム基板7の主面は、窒化ガリウム基板7のエッジから3ミリメートル以内の第1の領域と、第1の領域に囲まれた第2の領域とを有する。基板1の主面に直交する軸と窒化ガリウム基板のC軸との成すオフ角度は、第1の領域内の第1の点で最小値をとる。この方法によれば、インゴット1を所定の平面S1、S2、S3に沿って切断して、オフ角度が主面の第1の領域内の第1の点で最小値をとる単結晶窒化ガリウム基板が作製される。 【選択図】 図2
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