単結晶窒化ガリウム基板を製造する方法、窒化ガリウム基板、および窒化物半導体エピタクシャル基板

【課題】 より多くの窒化物半導体素子を提供できるＧａＮ基板を作製する方法を提供する。 【解決手段】単結晶窒化ガリウム基板を製造する方法は、（ａ）気相成長法によって成長された窒化ガリウム単結晶のインゴット１を所定の平面Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３に沿って切断して一または複数の単結晶窒化ガリウム基板７を作製する。単結晶窒化ガリウム基板７の主面は鏡面仕上げされており、窒化ガリウム基板７の主面は、窒化ガリウム基板７のエッジから３ミリメートル以内の第１の領域と、第１の領域に囲まれた第２の領域とを有する。基板１の主面に直交する軸と窒化ガリウム基板のＣ軸との成すオフ角度は、第１の領域内の第１の点で最小値をとる。この方法によれば、インゴット１を所定の平面Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３に沿って切断して、オフ角度が主面の第１の領域内の第１の点で最小値をとる単結晶窒化ガリウム基板が作製される。 【選択図】 図２