TFT-LCD HADS显示模式下黑白Mura机理研究及设计优化

随着高分辨率TFT-LCD HADS产品的开发，一种与像素ITO图形密切相关、有明暗（黑白）亮度差异、不同视角观察下存在黑白反转现象的Mura不良高发。经过对不良产品的参数测量和模拟分析，确定发生该不良的原因是在邻近区域内，像素开口区内的像素电极ITO（1ITO）图形和公共电极ITO（2ITO）图形发生了不同程度的相对偏移，电场分布存在差异，因此亮度发生明显差异；而且由于图形间的相对偏移导致电极间的电场发生偏移，形成像素左右两侧的一侧为强电场，一侧为弱电场，因而会出现从一侧观察发亮而从另一侧观察发暗、左右视角观察的黑白反转现象。Mura区与相邻OK区1ITO↔2ITO对位差异为0.5 μm。通过1ITO和2ITO的线宽设计优化，可提高产品对此偏移不均一的容忍度。最终采用最佳1ITO、2ITO线宽条件生产，配合1ITO和2ITO共用设备及TP非线性补正等条件并举，此不良由高发时的14.2%降至0.2%以下。本文研究成果对于高分辨率HADS产品的设计和性能改善，有着重要的指导和参考意义。