Licht emittierende Flip-Chip-Halbleitervorrichtung aus Nitrid

Licht emittierende Flip-Chip-Halbleitervorrichtung aus Nitrid (20, 50, 60), welche aufweist: p-Typ- und n-Typ-Halbleiterschichten (24, 26, 54, 56); eine aktive Schicht (25, 55), die zwischen den p-Typ- und n-Typ-Halbleiterschichten (24, 26, 54, 56) gebildet ist; eine ohmsche Kontaktschicht (27a, 57a), die auf der p-Typ-Halbleiterschicht (26, 56) aus Nitrid gebildet ist; eine Licht ubertragende leitende Oxidschicht (27b, 57b), die auf der ohmschen Kontaktschicht (27a, 57a) gebildet ist; eine hochreflektierende Metallschicht (27c, 57c), die auf der Licht ubertragenden leitenden Oxidschicht (27b, 57b) gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass sie eine Diffusionsverhinderungsschicht, die zwischen der Licht ubertragenden leitenden Oxidschicht (27b, 57b) und der hochreflektierenden Metallschicht (27c, 57c) gebildet ist, aufweist, wobei die Diffusionsverhinderungsschicht aus einem Material hergestellt ist, das aus einer Gruppe gewahlt ist, die aus Cu, Mo, V, W und Legierungen dieser Materialien untereinander besteht, und die Legierung Ti-W enthalten kann.