고전압용 소자의 필드 옥사이드 제조방법

본 발명은, 상기한 목적은, 기판 상부에 얼라인 키를 형성하는 단계, 상기 얼라인 키를 통해 도판트를 도핑 및 활성화하는 단계, 상기 기판 상부에 필드 옥사이드를 형성하는 단계, 상기 필드 옥사이드를 에칭하는 단계, 상기 필드 옥사이드의 에칭 영역에 컨택 비아 및 전극을 형성하는 단계를 통해 제조되는 고전압용 소자의 필드 옥사이드 제조방법에 있어서, 상기 필드 옥사이드는, 실리콘 나노입자 및 실리콘 다이옥사이드 전구체를 용매와 혼합하여 실리콘 다이옥사이드 용액을 제조하는 단계와; 상기 실리콘 다이옥사이드 용액을 기판에 코팅하는 단계와; 상기 기판을 가열하는 단계를 거쳐 형성되는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 저온공정을 통해 필드 옥사이드를 기판에 코팅하여 고온 및 기체로부터 작업자의 안전이 보장되며, 기판의 변형 및 특성저하를 방지하는 효과를 제공한다.