An integrated circuit having nanowires

本发明提供了集成电路（IC）。 IC包括具有金属氧化物半导体（MOS）区的衬底。 IC还包括第一栅极区、源极区和漏极区，以及第二栅极区、源极区和漏极区，其中第一栅极区具有第一长度，第二栅极区具有第二长度。 第一纳米线组设置在第一栅极区中，第一纳米线组包括具有第一直径的纳米线，并连接至第一源极区中的部件和第一漏极区中的部件。 第二纳米线组设置在第二栅极区中，第二纳米线组包括具有第二直径的纳米线，并连接至第二源极区中的部件和第二漏极区中的部件。 直径为：如果第一长度大于第二长度，则第一直径小于第二直径，反之亦然。 本发明还提供了具有纳米线的集成电路。