Compositions d'halogenure d'hafnium a faible concentration en zirconium

La presente invention concerne des compositions d'halogenure d'hafnium presentant une concentration en zirconium inferieure a environ 1000 parties par million, un procede de production des compositions d'halogenure d'hafnium presentant une concentration en zirconium inferieure a environ 1000 parties par million, des precurseurs de composes organometalliques, un procede de production des precurseurs de composes organometalliques, ainsi qu'un procede de production d'un film ou revetement a partir des precurseurs de composes organometalliques. Les composes organometalliques sont utiles dans des applications de semi-conducteurs en tant que precurseurs pour depot chimique en couches atomiques ou en phase vapeur pour des depots de films.