The nitride semiconductor light emitting element and a method of forming thereof

设置有源层以便发射具有在440到550nm范围内的发光波长的光。 在预定轴(Ax)方向上布置第一导电类型氮化镓基半导体区域(13)、有源层(17)以及第二导电类型氮化镓基半导体区域(15)。 有源层(17)包括由六方晶系InXGa1-XN(0.16≤X≤0.35，X：应变组分)构成的阱层，并且铟组分X由应变组分表示。 六方晶系InXGa1-XN的a面在预定轴(Ax)方向被对准。 阱层的厚度在大于2.5nm到10nm的范围内。 当阱层的厚度被设定为2.5nm或以上时，可以形成具有440nm或以上的发光波长的发光器件。