Porous Silicon Investigated by Positron Annihilation

The effect of the anodic conversion in silicon single crystals is investigated by positron lifetime measurements. Anodization at constant current induces changes in the positron lifetime spectrum of monocrystalline silicon samples. It is found that theses changes are primarily dependent on the silicon resistivity. The annihilation parameter behaviour of anodized samples, treated at high temperature under reducing conditions, is also investigated. The results reveal that positron annihilation can be a useful technique to characterize porous silicon formed by anodizing as well as to investigate its thermal behaviour. L'on recherche l'effect de la conversion anodique en silicium monocristallin au moyen de mesures du temps de vie du positron. L'anodisation a courant constant provoque des changements dans les spectres du temps de vie du positron des echantillons du silicium monocristallin. Il a ete etabli que ces changements sont fondamentaux et dependent de la resistivite du silicium. L'on etudie aussi le comportement des parametres d'annihilation des echantillons anodises et traites a haute temperature sous conditions reductrices. Les resultats revelent que l'annihilation des positrons peut ětre une technique untile aussi bien pour la caracterisation du silicium poreux forme par anodisation que pour l'etude de son comportement thermique.