基于薄膜退火的MoS 2 /SiO 2 /Si异质结太阳能电池光伏性能提高

为了制备高效的MoSi/SiO 2 /Si异质结太阳能电池，利用磁控溅射技术制备MoS 2 薄膜，并在硫气氛下对MoS 2 薄膜进行退火处理。分别用退火和未退火的MoS 2 薄膜制备MoS 2 /SiO 2 /Si异质结太阳能电池，研究了退火对MoS 2 薄膜的微观结构和MoS 2 /SiO 2 /Si异质结太阳能电池光电性能的影响。实验结果显示，相比于未退火的，经过退火处理的MoS 2 薄膜的拉曼峰半高宽（FWHM）变窄，峰强增强，显微荧光光谱中也出现明显的激子发光峰。由此表明，退火处理使MoS 2 薄膜由非晶向晶态转变，薄膜的体缺陷减少，异质结太阳能电池的开路电压和填充因子得到提升，器件转换效率从0.94%提高到1.66%。不同光照强度下的 J - V 测量和暗态的 J - V 测量结果表明，经退火处理的MoS 2 薄膜的异质结太阳能电池具有较高的收集电压和更接近于1的理想因子，这归因于退火导致MoS 2 薄膜的体缺陷的减少，近而降低了MoS 2 / SiO 2 /Si异质结太阳能电池器件的体缺陷复合。