고성능 ｉｇｚｏ ｔｆｔ를 위한 저온 용액 공정 기반의 고품질 ａｌ２ｏ３ ｂｎ 절연막 제조 방법 및 그 ｉｇｚｏ ｔｆｔ

고성능 IGZO TFTs를 위한 저온 용액 공정 기반의 고품질 Al 2 O 3 /BN 절연막 제조 방법이 개시된다. 상기 방법은, 기존의 CVD 및 ALD 등의 고가의 진공(vacuum) 장비가 사용되고 1000 o C 이상의 고온을 필요로 하는 TFT 소자 구현 방법과 달리, 공기중에서 저온 공정(low temperature in an ambient atmosphere)에서 용액 공정에 의해 박막 소자 제작이 가능하며, 기존 고 유전 재료인 Al 2 O 3 에 높은 기계적 안정성과 산화 저항력 등을 보유한 저 유전 재료 boron nitride(BN)와의 하이브리드 복합 구조 기반의 박막 형성을 통해 기존의 Al 2 O 3 내부의 높은 산소 결함 밀도에 의해 고품질 전자 소자 구현 및 신뢰성 측면에서 한계를 극복하면서 개선된 성능을 제공하며, i) 고 유전체 재료인 Al 2 O 3 에 저 유전체 재료 인 BN의 합성에도 매우 균일하고 깨끗한 박막 표면 상태를 유지하며, ii) 산소 결함 밀도가 현저히 감소되고, 하이브리드 Al 2 O 3 /BN 박막(절연 박막) 내 줄어든 산소 결함 밀도에 의해 iii) 하이브리드 Al 2 O 3 /BN 박막의 누설 전류 및 유전 상수 값이 개선되며, 최적화된 저온 용액 공정 방법을 사용하여 절연 박막 내 줄어든 산소 결함 밀도에 의해 향상된 Induim gallium zinc oxide(IGZO) thin film transistor(TFT)의 특성을 향상시켰다.