Transistors Haute Tension de type MOSFET et MESFET en diamant pour l'électronique de puissance

2018 
Deux types de transistors a effet de champ seront presentes, permettant d'exploiter pleinement les caracteristiques du diamant monocristallin pour l'electronique de puissance. Les transistors fonctionnent en regime de depletion profonde et la polarisation d'une grille Schottky (MESFET) ou isolee (MOSFET) permet l'obtention de l'etat bloque ou passant des transistors. L'interet de ces structures est d'obtenir une conduction « volumique » dans le diamant, tirant benefice de la haute mobilite des porteurs (etat passant) et de la tenue dielectrique (etat bloque) du diamant. Deux preuves de concept experimentales sont presentees : MESFET a tenue en tension superieure a 2kV et faible resistance, et MOSFET a tenue en tension superieure a 200V avec haute mobilite et faibles fuites.
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