Procédé de fabrication d'un semiconducteur à base de nitrure, agent d'augmentation de la vitesse de croissance cristalline, monocristal de nitrure, tranche et dispositif

Cette invention concerne un procede de fabrication d'un semiconducteur a base de nitrure, comprenant l'etape consistant a regler la temperature et la pression a l'interieur d'un autoclave contenant un ensemencement ayant une structure cristalline d'un systeme hexagonal, un solvant contenant l'element azote, une matiere de depart comprenant un element metallique appartenant au groupe 13 du tableau periodique et un agent de mineralisation, de telle sorte que le solvant est amene a un etat supercritique et/ou a un etat sous-critique pour permettre a un cristal semiconducteur a base de nitrure de subir une croissance ammonothermique sur la surface de l'ensemencement. La vitesse de croissance du cristal dans la direction de l'axe des m sur l'ensemencement est amenee a pas moins de 1,5 fois la vitesse de croissance du cristal dans la direction de l'axe des c sur l'ensemencement. La structure ci-dessus permet de produire d'une maniere simple et efficace des semiconducteurs a base de nitrure avec une face c de grand diametre et des semiconducteurs a base de nitrure ayant une forte epaisseur dans la direction de l'axe des m.