Substrats de soi a contrainte double

L'invention concerne une structure de Si contraint, dans laquelle des zones nFET de la structure sont contraintes en tension et les zones pFET de la structure sont contraintes en compression. D'une facon generale, la structure de Si contraint comprend un substrat; un premier empilement de couches sur la surface du substrat, ce premier empilement de couches comprenant une couche dielectrique de compression sur la surface du substrat et une premiere couche a semiconducteur sur la couche dielectrique de compression, cette couche dielectrique de compression transferant les contraintes de tension a la premiere couche a semiconducteur; et un second empilement de couche sur la surface du substrat, ce second empilement de couches comprenant une couche dielectrique de tension sur le substrat et une seconde couche a semiconducteur sur la couche dielectrique de tension, cette couche dielectrique de tension transferant les contraintes de compression a la seconde couche a semiconducteur. La couche dielectrique de tension et la couche dielectrique de compression contiennent de preference du nitrure, tel que du Si3N4.