ｎ型半導体層、熱電変換層、熱電変換素子、熱電変換モジュール、及びｎ型半導体層形成用組成物

本発明の課題は、熱電変換性能に優れ、且つ、ｎ型特性を示す半導体層（ｎ型半導体層）を提供する。また、上記ｎ型半導体層からなる熱電変換層、及び、ｎ型半導体層形成用組成物を提供する。また、上記熱電変換層をｎ型熱電変換層として有する熱電変換素子、及び熱電変換モジュールを提供することである。本発明のｎ型半導体層は、ナノ炭素材料と、特定の構造で表わされるオニウム塩と、を含有する。