Scanning a plurality of reference levels in non-volatile storage elements

Hierin offenbart sind Verfahren zum Abfuhlen mehrerer Referenzpegel in nichtfluchtigen Speicherelementen ohne Anderung der Spannung an der ausgewahlten Wortleitung. Ein Aspekt umfasst das Bestimmen eines ersten Zustands eines ausgewahlten nichtfluchtigen Speicherelements in Bezug auf einen ersten Referenzpegel auf Grundlage dessen, ob ein Abfuhltransistor in Reaktion auf eine Abfuhlspannung an einem Abfuhlknoten leitet. Dann wird eine Spannung an dem Source-Anschluss des Abfuhltransistors modifiziert, nachdem der erste Zustand in Bezug auf den ersten Referenzpegel bestimmt wurde. Ein zweiter Zustand des ausgewahlten nichtfluchtigen Arbeitsspeicherelements in Bezug auf einen zweiten Referenzpegel wird dann auf Grundlage dessen bestimmt, ob der Abfuhltransistor in Reaktion auf die Abfuhlspannung an dem Abfuhlknoten leitet. Dies ermoglicht ein effizientes Abfuhlen von zwei unterschiedlichen Referenzpegeln. Dynamischer Leistungsverbrauch ist aufgrund der in Bezug auf den Abfuhlknoten niedrigen Kapazitat des Abfuhltransistors gering.