不同衬底材料的ZnO／Si异质结I-V及光电特性

采用脉冲激光沉积（PLD）技术和微电子平面工艺，用不同表面掺杂的Si作为衬底制备了ZnO／Si异质结，并且以p-Si（p-）为衬底制备了ZnO（含Mn0．2％）／Si异质结、包含SiC缓冲层的ZnO／SiC／Si和ZnO（含Mn0．2％）／SiC／Si结构，测试了样品的XRD曲线、I-V特性曲线和P-E（光电响应）特性曲线．结果发现ZnO／n-Si结有很低的反向暗电流，SiC缓冲层能提高反向击穿电压，ZnO／p—Si（p＋）异质结能有较强的光电响应，ZnO／n-Si（n-）更适合作为大波段区间的光探测器．还发现波长470，480，490nm处类似于声子伴线的光谱结构．