退火温度对CuGa0．8Ge0．2Se2薄膜结构及光学特性的影响

采用脉冲激光沉积法在s她衬底上制备了CuGa0．8Ge0．2Se2薄膜。采用x射线衍射和x射线能谱仪研究了退火温度对薄膜晶体结构和成分的影响，利用扫描电子显微镜表征了薄膜的表面形貌，采用紫外一可见分光光度计分析了薄膜的光学特性。结果表明，在CuGa0．8Ge0．2Se2掺杂Ⅳ族元素Ge，光子吸收能量分别为0．65和0．92eV，禁带宽度为1．57eV，能够形成中间带。并随着退火温度的升高，CuGa0．8Ge0．2Se2吃薄膜的光学带隙逐渐减小。