Étude des effets de sources secondaires sur les couplages inductives, basée sur la méthode de développement multipolaire

Avec les progres de la technologie, la densite de puissance des appareils electriques augmente, ce qui conduit a une augmentation des interferences electromagnetiques (IEM) entre deux systemes d'electroniques de puissance. Ces IEM peut engendrer un dysfonctionnement des appareillages. Par consequent, les problematiques de la compatibilite electromagnetique (CEM) entre deux appareils est devenue une activite essentielle lors de la conception d'un nouveau produit industriel. Afin de tenir compte de la conformite aux normes CEM des le debut de la phase de conception, une methode de prediction des couplages en champ proche entre composants complexes a ete developpee. Cette methode predictive est basee sur le developpement en harmoniques spheriques du champ a proximite de chaque dispositif, qui peut alors etre represente par une source ponctuelle multipolaire equivalente. Le couplage inductif entre dispositifs peut etre directement extrait de ces developpements. Cependant, cette methode n'est pas exacte en presence de sources induites liees a la presence de materiaux conducteurs (boiters, plans de masse) ou ferromagnetiques. Dans cet article, les effets de telles sources secondaires sont etudies et une methode basee egalement sur les harmoniques spheriques est proposee pour les compenser