Procede de formation d'une pellicule de silicium amorphe
1983
Un procede de formation d'une pellicule de silicium amorphe provoque la photodecomposition d'un silane d'ordre eleve contenant deux ou plusieurs atomes de Si, par irradiation avec de la lumiere d'une longueur d'onde ne depassant pas 300 nm, pour deposer le silicium amorphe sur un substrat.
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