Structures de terminaison de bordure pour dispositifs au carbure de silicium et procédés d'élaboration de ces dispositifs

Structure de terminaison de bordure pour dispositif a semi-conducteur au carbure de silicium, a pluralite d'anneaux de garde flottants concentriques espaces (34) dans une couche de carbure de silicium qui entoure au moins partiellement une jonction a base de carbure de silicium, a couche d'isolation sur ces anneaux, et zone de compensation de charge de surface au carbure de silicium (38) entre ces anneaux et en position adjacente a la surface de la couche de carbure de silicium. Une couche de nitrure de silicium (56) se trouve sur la couche de carbure de silicium, et une couche de protection organique (66) se trouve sur la couche de nitrure de silicium. Une couche d'oxyde peut etre intercalee entre la couche de nitrure de silicium et la surface de la couche de carbure de silicium. Egalement, procedes de formation de structures de terminaison de bordure.