Etude des défauts d'implantation dans le Hg 0,8 Cd 0,2 Te par diffusion diffuse des RX près des taches de Bragg

Ce travail concerne l'etude des defauts induits par des implantations d'ions al a 320 kev dans le semi-conducteur ii-vi, hg#0#,#8cd#0#,#2te. Les implantations, de 10#1#3 a 10#1#5 al/cm#2, ont ete realisees d'une part a temperature ambiante, d'autre part a la temperature de l'azote liquide. L'etude a ete menee a l'aide de la technique de diffusion diffuse des rayons x pres des taches de bragg. Les implantations realisees a temperature ambiante induisent des amas de defauts ponctuels dont le champ de deplacement a longue distance est anisotrope, comme celui des boucles de dislocation. L'analyse de la diffusion diffuse nous permet de caracteriser la nature, la taille, le type des boucles de dislocation. Apres des implantations a la temperature t90k, les observations in situ des profils des pics de bragg mettent en evidence un epaulement dans la direction 111 perpendiculaire a la surface. Cet epaulement est attribue a un volume comprime dans la direction 111. Ce volume pourrait etre associe a la presence d'une couche deformee enterree, situee a une profondeur voisine du maximum du depot d'energie nucleaire donne par la simulation trim. Un stade de recuit a ete mis en evidence autour de 150k. Apres des recuits isochrones dans le domaine de temperature 200-300k, nous analysons la repartition de la diffusion diffuse pres des taches de bragg de maniere a caracteriser precisement les boucles de dislocation induites par l'implantation