Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
Ge 기반의 소자에서 Y-ZrO2 게이트 유전체를 이용한 EOT 스케일링(~5.7 A) 및 누설 전류와 계면 트랩의 감소
Ge 기반의 소자에서 Y-ZrO2 게이트 유전체를 이용한 EOT 스케일링(~5.7 A) 및 누설 전류와 계면 트랩의 감소
2018
Tae In Lee
Min Ju Kim
Manh Cuong Nguyen
Hyunjun Ahn
Jung-Min Moon
Tae Yoon Lee
Hyun Young Yu
Rino Choi
Wan Sik Hwang
Byung Jin Cho
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI
[]