Capteur de gaz à semi-conducteur et son procédé de fabrication

L'invention porte sur un capteur de gaz a semi-conducteur, une sensibilite de detection vis-a-vis d'un gaz a faible concentration etant amelioree de facon remarquable et la performance dans son ensemble etant amelioree de facon notable par accroissement de la vitesse de reponse-recuperation. L'invention porte egalement sur un procede de fabrication d'un tel capteur de gaz a semi-conducteur. Le capteur de gaz a semi-conducteur comporte un substrat en Si (1) comportant une section creuse (1a) au centre ; un film isolant (2) qui s'etend sur le substrat (1) de facon a boucher la section creuse (1a) avec une structure de diaphragme ; un element chauffant (4) forme sur le film isolant (2) ; et une electrode de mesure de resistance (6) et un film sensible au gaz (7) forme sur l'electrode de mesure de resistance (6). Le film sensible au gaz (7) est constitue par un cristal d'oxyde de tungstene hexagonal contenant un oxyde de tungstene monoclinique.