Sculpture et placage d'ailette pendant un procédé de grille de remplacement pour applications de canal de transistor

L'invention concerne des techniques permettant de sculpter et de plaquer la region de canal d'ailettes sur un substrat semi-conducteur au cours d'un procede de grille de remplacement (par exemple, pour des applications de canal de transistor). La sculpture et le placage peuvent etre effectues apres reexposition de la region de canal des ailettes apres elimination de la grille factice utilisee dans le procede de grille de remplacement. La sculpture consiste a mettre en œuvre une gravure d'ajustage sur la region de canal reexposee des ailettes pour retrecir une largeur des ailettes (par exemple, de 2 a 6 nm). Une couche de placage, qui peut comprendre du germanium (Ge) ou du silicium-germanium (SiGe), peut ensuite etre deposee sur les ailettes ajustees, laissant les regions de source/drain des ailettes non affectees. La sculpture et le placage peuvent etre effectues in situ ou sans coupure d'air pour ameliorer la qualite des ailettes ajustees (par exemple, comparativement a un procede ex-situ).