La synthèse de films de diamant pour des applications en électronique de puissance

La croissance de films de diamant monocristallin de qualite electronique et d'epaisseur importante (quelques centaines de micrometres) reste un enjeu important particulierement pour le domaine de l'electronique de puissance. Nous decrivons dans cet article les differents verrous a depasser pour atteindre cet objectif. Nous presentons le procede de depot chimique en phase vapeur activite par plasma micro-onde genere en cavite qui, a l'heure actuelle, est le seul reunissant les capacites de creer de maniere efficace les especes precurseurs de la croissance du diamant et le critere de grande purete exige pour les applications en electronique de puissance. La croissance de diamant monocristallin imposant l'utilisation d'un substrat de diamant monocristallin, son influence sur la qualite finale de la croissance, particulierement pour des cristaux de quelques centaines de micrometres est decrite. Les pretraitements necessaires et leurs effets sont presentes. Enfin nous explicitons l'influence des parametres de depot tels que temperature du substrat, concentration de methane et densite de puissance micro-onde sur les parametres locaux du plasma tels que temperature du gaz, densite d'hydrogene atomique et des radicaux CH 3 , et la consequence en termes de morphologie et qualite des films ainsi que vitesse de croissance.