GaAs（100）面上气相淀积生长GaS钝化膜

用加热分解α－Ｇ２Ｓ３的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上气相沉积了准单晶的ＧａＳ钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明，长成的膜与衬底间界面清晰。用紫外光电子能谱和低能电子能量损失谱结合的方法得到了完整的ＧａＳ／ＧａＡｓ异质结能带结构图，即价带偏移１．５ｅＶ，导带偏移０．３ｅＶ，界面附近存在０．４ｅＶ的能带弯曲。气相淀积方法简单实用，有希望发展成为ＧａＡｓ器件制作的有用工艺。