식각 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법

식각 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법이 제공된다. 상기 식각 조성물은 1중량% 내지 7중량%의 과산화수소, 20중량% 내지 80중량%의 인산, 0.001중량% 내지 1중량%의 아민 또는 아미드 고분자, 0중량% 내지 55중량%의 황산, 및 10중량% 내지 45중량%의 탈이온수로 이루어진다. 상기 식각 조성물은 금속막을 식각하는데 이용된다. 상기 반도체 장치의 제조방법은 기판 상에 제1 금속막을 형성하는 것, 상기 제1 금속막 상에 제2 금속막을 형성하는 것, 상기 제1 금속막 및 상기 제2 금속막을 연마하는 것, 및 상기 제1 금속막과 상기 제2 금속막을 상기 식각 조성물로 이루어진 세정액을 이용하여 세정하는 것을 포함한다.