フォトリソグラフィによる回路素子の製造方法、熱安定性ポリイミドフィルム、混合ポリイミド及び半導体デバイス
1994
(57)【要約】
【目的】 400〜450nm範囲の照射を吸収し且つ 400℃を越える温度で安定なポリイミド組成物、高温 でも安定な反射防止誘電層並びに該誘電層を有する半導 体デバイスを簡便に提供する。
【構成】 ペリレン及びナフタレン等から得られ且つ4 05又は436nmでの照射を減衰するための十分な吸 収を有する少なくとも1つの発色団を含有する反射防止 ポリイミド若しくはポリイミド前駆体層を、基体上に付 着し、200〜500℃で加熱することを含むフォトリ ソグラフィによって、ICを製造する。
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