フォトリソグラフィによる回路素子の製造方法、熱安定性ポリイミドフィルム、混合ポリイミド及び半導体デバイス

(57)【要約】 【目的】 ４００〜４５０ｎｍ範囲の照射を吸収し且つ ４００℃を越える温度で安定なポリイミド組成物、高温 でも安定な反射防止誘電層並びに該誘電層を有する半導 体デバイスを簡便に提供する。 【構成】 ペリレン及びナフタレン等から得られ且つ４ ０５又は４３６ｎｍでの照射を減衰するための十分な吸 収を有する少なくとも１つの発色団を含有する反射防止 ポリイミド若しくはポリイミド前駆体層を、基体上に付 着し、２００〜５００℃で加熱することを含むフォトリ ソグラフィによって、ＩＣを製造する。