GaAs HFET／PHEMT大信号建模分析

在分析GaAs HFET／PHEMT建模设计、在片校准和测试方法的基础上，提出了电荷守恒的EEHEMT1模型，通过Cold FET测量技术，采用在片测试技术，结合窄脉冲测试技术，提出了GaAs HFET／PHEMT器件EEHEMT1大信号模型，实验说明提出的大信号模型模拟结果与实例结果吻合得很好．