Verfahren zur metallstrukturierung mittels kohlenstoff-maske

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Metallstrukturierung, bei dem auf einem Si-Substrat (1) mittels Abscheide-Verfahren wenigstens eine Metallschicht (2) Z.B.aus Aluminium abgeschieden wird, auf der nachfolgend eine Atzmaske erzeugt wird und anschliessend mittels Atzen, vorzugsweise durch Plasmaatzen, die Metallschicht strukturiert wird. Durch die Erfindung soll ein vereinfachtes Verfahren zur Metallstrukturierung geschaffen werden, mit dem mit einfachen Mitteln wahrend der Atzprozesses eine ausreichende Passivierung der geatzten Metallstrukturen sichergestellt wird. Erfindungsgemass wird dazu auf der bereits abgeschiedenen und zu strukturierenden Metallschicht (2) zunachst eine Hard- Mask-Schicht in Form einer Kohlenstoffschicht (3) und auf dieser Resist (5) abgeschieden und nach der Strukturierung des Resists die Kohlenstoffschicht durch Strippen zu einer Kohlenstoffmaske strukturiert. Danach wird mit der die Strukturen definierenden Kohlenstoffmaske die Metallatzung der Metallschicht bei gleischzeitiger Seitenwandpassivierung ausgefuhrt und anschliessend die Masken gestrippt.