P10.2 - Driftstabile Hochtemperaturtaugliche Piezoresistive Drucksensorsysteme auf Siliziumbasis

Die Erschliesung neuer Anwendungsfelder und der Drang zur Grosenreduktion von hoch stabilen Druckmesssystemen macht die Erweiterung der Einsatztemperaturbereiche der MEMS Primarsensoren notig. Es wurden daher piezoresistive Drucksensorsysteme fur einen deutlich erweiterten Temperaturbereich entwickelt. Die Leckstrome der Sensoren konnten im Bereich bis 300°C um 5 Grosenordnungen gesenkt werden. Der Einfluss von allseitigen statischen Drucken konnte unter Anderem durch die Anwendung des Niedertemperatur-Silizium-Direktbondens im Mittel auf Werte kleiner 0,007%FS/100bar gesenkt werden. Die entwickelten piezoresistiven Sensoren auf Siliziumbasis zeichnen sich durch eine hohe Montagespannungsresistenz aus. Die Nullpunktabweichungen nach dem zero- und first-level Packaging betragen weniger als 0,01%FS/24h bei Temperaturen von uber 200°C.