Plaquette de silicium monocristallin et son procede de production

L'invention concerne une plaquette de silicium monocristallin obtenue selon la technique de croissance par tirage Czochralski, caracterisee en ce que l'ensemble de la plaquette appartient a la region N formee a l'exterieur de OSF, generee sous forme de cycle durant le traitement thermique, et en ce qu'elle est egalement exempte d'une region de defauts detectee par depot de Cu ; et un procede de production de silicium monocristallin, caracterise en ce que le monocristal est obtenu dans ladite region sans defauts. La plaquette de silicium monocristallin n'appartient a augune des regions V riches en pores vides, la region OSF et la region I etant riches en Si interstitiel, et presente par consequent des caracteristiques electriques ameliorees, telles que la resistance a la rupture de la couche d'oxyde. Ce procede permet de produire ladite plaquette dans des conditions de production stables. FIG. 4 : 1 REGION V 2 REGION OSF 3 REGION N DEPOSEE (REGION Nv) 4 REGION N NON DEPOSE (REGION Ni) 5 REGION I 6 CENTRE 7 PERIMETRE 8 PAS DE DEPOT DE Cu