반도체 전자소자 기반 테라헤르츠 신호원

테라헤르츠 신호원은 최근 관심이 증가하는 테라헤르츠 시스템의 구현에 있어서 핵심적인 요소이다. 테라헤르츠 신호원은 광소자 기반 혹은 전자소자 기반으로 구현이 가능하며, 전자소자 기반은 다시 진공소자 기반과 고체소자 기반으로 나누어 볼 수 있다. 본 논문은 고체소자 기반 신호원의 일반적인 형태인 반도체 전자소자 기반 테라헤르츠 신호원에 대한 개요를 제공하는 목적을 가지고 작성되었다. 먼저 다이오드 기반 테라헤르츠 신호원으로서 Gunn 다이오드, IMPATT 다이오드, RTD의 동작 원리 및 최근 보고된 성능을 기술하고, 이어서 트랜지스터 회로 기반 테라헤르츠 신호원으로서 LC cross-coupled 발진기, 콜피츠(Colpitts) 발진기, 링(ring) 발진기에 대해 그 동작 원리와 보고된 특성을 살펴본다. 이어 트랜지스터 회로 기반 테라헤르츠 신호원의 예로서 여러 가지 구조의 300 GHz 및 600 GHz 신호원을 소개하고, 그 특성을 기술한다.