Éxcitons em Estruturas Semiconductoras Artificiais de (GaAs)/(AIAs)

Neste artigo estudamos a influencia da direcao de crescimento e do numero de monocamadas nas propriedades opticas de super-redes de (GaAs)m/(AlAs)5 com m = 3 ou 5. As direcoes escolhidas foram a [111]A, [311]A e a [100]. Esta ultima foi utilizada como referencia. As configuracoes das ligacoes quimicas do substrato de arseneto de galio mudam de acordo com a orientacao, o que implica em variacoes nas propriedades opticas da heteroestrutura crescida. As super-redes foram caracterizadas atraves da tecnica de Fotoluminescencia em funcao da temperatura e da intensidade de excitacao. Da analise, verificou-se que os picos principais dos espectros sao atribuidos a transicoes indiretas dos excitons na direcao [100] e [311]A para m=3 ou 5, e [111]A com m=5, assim como as transicoes com participacoes de fonons de AlAs na [100] com m=3, e de GaAs para [311]A com m=5. Na [100] com m=5 foi constatado um aumento na energia de transicao excitonica cujo aumento e verificado pela dependencia com a temperatura. A superficie [111]A com m=3 apresentou um comportamento anomalo, sendo o pico de maior intensidade deslocado para regioes de menores energias em relacao as demais direcoes.