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サブ7nm技術ノードのための室温中性ビーム酸化による高性能相補GeピーキングFinFET【Powered by NICT】
サブ7nm技術ノードのための室温中性ビーム酸化による高性能相補GeピーキングFinFET【Powered by NICT】
2016
Lee Y.J
Hong T.-C.
Hsueh F.-K.
Sung P.-J.
Chen C.-Y.
Chuang S.-S.
Cho T.-C.
S. Noda
Tsou Y.-C.
Kao K.-H.
Wu C.-T.
Yu T.-Y.
Jian Y.-L.
Su C.-J.
Huang Y.-M.
Huang W-H
Chen B.-Y.
Chen M.-C.
Huang P
Li J Y
Chen M.J
Yiming Li
S. Samukawa
Wu W.-F.
Huang W
Shieh J.-M.
Tseng T.-Y.
Chao T S
Wang H
Yeh W.-K.
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