Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
InGaP/GaAsコレクタトップHBTへの裏面放熱エミッタ電極形成技術(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
InGaP/GaAsコレクタトップHBTへの裏面放熱エミッタ電極形成技術(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
2003
tisaku ki takubo
kazuhiro motizuki
ken'iti tanaka
hiroyuki utiyama
takafumi taniguti
takasi si sioda
Keywords:
Electronic engineering
Materials science
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI
[]