기판-Mask 재료에 따른 β-SiC 박막 증착의 선택성과 특성 평가

Hexamethyldisilane(Si₂(CH₃) 6 )의 single precursor를 출발원료로 사용하여 화학기상증착법으로 Si 기판 위에 buffer층의 형성 없이 β-SiC의 박막을 증착하였다. Si 기판과 SiO₂ mask에서 SiC 박막 증착의 선택성을 위하여 HCl의 식각 가스를 도입하였고 출발원료와 HCl 가스의 공급방법을 변화시켰다. SiC 박막 증착 과정에서 HCl 가스의 도입이 막의 표면 조도에 미치는 영향을 조사하였고 Hall 측정을 통하여 SiC 막의 전기적 특성을 조사하였다.