有機半導体パターン及び有機半導体層のパターニング方法、有機半導体装置及びその製造方法、並びに表示装置

2004 
【課題】 パリレンなどの特殊な保護材料を用いず、一般的な有機半導体層やフォトレジストに適用でき、パターニングによる有機半導体層の性能低下を抑制できる、有機半導体層のパターニング方法及び有機半導体装置の製造方法を提供し、更にこの方法に基づいて作製された有機半導体パターン及び有機半導体装置、並びに表示装置を提供すること。 【解決手段】 基板1の上に有機半導体層2を蒸着や塗布によって形成する。その上に、窒化ケイ素などの絶縁性無機化合物又はポリビニルアルコールなどの親水性有機高分子化合物からなる保護層3を、CVD法や水溶液の塗布によって形成する。その上にフォトレジスト層4を塗布によって形成し、これをパターニングしてマスク層5を形成する。マスク層5をマスクとして、保護層3と有機半導体層2をパターニングして、有機半導体パターン7を得る。パターニング終了後もマスク層5は保護層として残す。 【選択図】 図1
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