Etude de la migration ionique dans les structures métal-isolant-silicium

L'evolution de la microelectronique silicium vers le sub-micronique necessite une qualite d'isolant de grille parfaite. En particulier, il convient d'eviter toute contamination. Apres une etude bibliographique critique concernant le probleme de la contamination ionique de l'oxyde par diverses impuretes ioniques ( H, Na, K ), nous presentons deux modeles que nous avons developpes permettant de connaitre la localisation spatiale et energetique des ions dans les couches isolantes. Pour repondre aux exigences de sensibilite requises par la microelectronique nous avons developpe un banc de mesure de la contamination ionique informatise lequel comporte diverses composantes originales. Nous avons. etudie le comportement du sodium et du potassium dans la silice thermique et avons montre qu'il existe des pieges ioniques communs a ces deux especes. Nous avons egalement compare l'influence de l'iode et du chlore sur le processus de neutralisation de ces ions. Alcalins. La migration ionique du calcium dans les structures MOS a ete mise en evidence pour la premiere fois et les divers niveaux pieges ont ete determines. Nous avons observe la migration ionique du potassium dans les couches de nitrure de silicium depose CVD et avons caracterise les niveaux-pieges relatifs a cette espece, ainsi que sa mobilite. Les resultats obtenus ont ete compares a SiO2