Etude du cuivre et des matériaux barrières pour les technologies 0. 18 micron et inférieures

Jusqu'a nos jours, les evolutions des interconnexions a base d'aluminium ont toujours su repondre aux exigences de cette reduction d'echelle. Cependant, cette evolution des interconnexions a base d'aluminium trouve ses limites a partir des filieres technologiques inferieures au 0. 18 m. L'analyse des caracteristiques en electromigration du cuivre et de l'alliage aluminium-cuivre nous a permis de determiner une meilleure tenue a l'electromigration pour le cuivre et des variations mineures de la resistance du materiau avec la temperature et le courant. Le cuivre se presente comme l'un des materiaux les plus aptes a remplir les specifications demandees pour les filieres technologiques avancees. Cependant le cuivre diffuse rapidement dans si sio2 sous contraintes thermiques et electriques. Nous detectons cette diffusion en utilisant des mesures de type c(v) sur une structure mos. A partir des caracteristiques electriques, nous evaluons des solutions technologiques pour l'encapsulation du cuivre telles que des couches barrieres conductrices ultra-fines (tin, ti, al, w(n), w) ou non conductrices (siof, si3n4)