Dispositif semiconducteur et appareil de conversion électrique

Selon l'invention, un appareil de commutation (300B) comprend une puce semiconductrice de puissance (301B) et un circuit d'attaque (302) qui commande la puce semiconductrice de puissance. Un trajet de la puce semiconductrice de puissance (301B) sur lequel circule un courant principal (204) est connecte a une premiere borne de source (202A) et une borne de masse du circuit d'attaque (302) est connectee a une seconde borne de source (202B) de la puce semiconductrice de puissance (301B). En consequence, un trajet de commande de grille et le trajet sur lequel circule le courant principal sont isoles l'un de l'autre et l'influence exercee sur une tension grille-source (Vgs) due a une force electromotrice induite en raison d'une inductance parasite de source (307C) est reduite.