Etude des centres dx dans les alliages (al,ga)as, ga(as,p) et (al,ga) (as,p) sous pression hydrostatique et sous champ magnetique intense

Nous etudions les proprietes physiques des centres dx dans les alliages (al,ga)as et ga(as,p) elabores par epvom, en fonction de la pression hydrostatique et sous champ magnetique intense (effet shubnikov de hass). Apres une etude des conditions d'elaboration, nous analyserons l'influence de la nature chimique du dopant (si, t, sn et pb) sur l'energie d'ionisation des centrs dx. Parmi les resultats obtenus, le centre dx associe au tellure dans gaas est un element essentiel, a l'origine meme de la demarche adoptee tout au long de cette etude. L'energie d'ionisation tres elevee des centres dx introduit par le tellure dans gaas et dans ga(as,p) est mise a profit dans le concept du double dopage, qui devrait permettre, en principe, de verifier la validite du modele de chadi qui soutient que le centre dx implique la capture de deux electrons. Par ailleurs, l'etude des alliages (al,ga)as et ga(as,p) revele que la presence d'aluminium est responsable de l'approfondissement du centre dx associe au tellure. Finalement, les mesures de duree de vie enregistrees dans gaas sous pression hydrostatique, montrent que le centre dx se comporte comme un centre de recombinaison non radiatif pour les trous. Notre etude soutient donc que le centre dx est un etat tres localise, sensible a la nature chimique de l'impurete ainsi qu'a celle des premiers voisins