大尺寸MAPbI 3 单晶的制备及光电性能研究

采用两步气相沉积法制备了大尺寸(150 μ m左右)高质量的MAPbI 3 单晶, 并通过对衬底表面修饰来调控晶体的成核位置.从衬底温度、载气流速、时间效应等方面系统探究了影响PbI 2 晶体生长的因素.结果表明:该晶体生长的最优条件分别对应为350℃、20 sccm、20 min.将MAPbI 3 单晶放置在空气中50天后, 其X衍射特征峰没有明显变化.最后分析该器件的光电特性, 发现其开关比高达10 4 , 响应度为3.8×10 4 A/W, 且具有较快的响应速度(上升时间:0.03 s; 下降时间:0.15 s).该MAPbI 3 单晶光电探测器将在光电学领域有非常良好的应用.