Wafer-scale graphene on 2 inch SiC with uniform structural and electrical characteristics

晶片规模 graphene 在上原文如此，与制服，结构、电的特征被需要认识到基于 graphene 的收音机频率设备和集成电路。这里，有一致结构、电的特征的 graphene 的连续 bi/trilayer 被在 graphene 生长前后蚀刻在 2 英寸 6H-SiC (0001 ) 上种。光、原子的力量显微镜学图象显示 graphene 的表面形态学在 2 英寸晶片上是一致的。拉曼和发射度系列证实它的层数字也是制服。无接触的抵抗大小显示平均 graphene 表抵抗是有 7.2% 的不一致的 720 / 。无接触的活动性大小与大约 1.5 闌? 闌? ¤的电子集中给了大约 450 cm2/(V s ) 的搬运人活动性的大区域